Through close partnership with Linde, the leading global industrial gases and engineering company, Linde LienHwa has the capability to provide various high quality electronic specialty gases and gas-application technologies. Furthermore Linde LienHwa continues to invest in high-efficiency specialty gases production facilities to meet the top industry requirements.
Our Expertise
Safety
- Top emergency response capability (HIRT)
- Safety and operation benchmarked against global leaders for best practice
People
- Expert members in electronic materials business management and plants operation
Quality
- Ensuring highest quality products customized to customer needs
Products
- >20 in-house products
- >70 product portfolio
- Strategic partnership with suppliers and customers
Technology
- Electronics R&D Center (ERDC) for advanced analysis capability and new product development
- Technical engagement with customers
Localizing ESG production
- New Taoke facility investment in Kuanyin
- Continuous production expansion at Chungkang plant
- Mainland China NH3, N2O, and HBr plants Our investment
Our investment
Taiwan leading electronic gas manufacturer
- Linde LienHwa north Taiwan manufacturing plant
- Linde LienHwa central Taiwan manufacturing plant
- Linde LienHwa south Taiwan manufacturing plant
China leading electronic gas manufacturer
- Linde LienHwa TainJin investment production plant
- Linde LienHwa Zhenjiang manufacturing plant
- Linde LienHwa Xiamen manufacturing plant
- Linde Suzhou manufacturing plant
Our Product Portfolio
Deposition / Thin film
| Argon （Ar） |
Helium （He） |
Hydrogen （H2）* |
Nitrogen （N2）* |
| Mixtures （Calibration etc） |
Hexachlorodisilane （HCDS） |
Octafluorocyclobutane （C4F8） |
Nitrogen trifluoride （NF3） |
| Nitrous oxide （N2O） |
1% / 10% Germane mixture （GeH4 / H2） |
Ammonia （NH3） |
Dichlorosilane （SiH2Cl2） |
| Disilane （Si2H6） |
Germane （GeH4） |
Hexachlorodisilane （Si2Cl6） |
Silane （SiH4） |
| Trichlorosilane （SiHCl3） |
Etch
| Argon （Ar） |
Helium （He） |
Hydrogen （H2）* |
Nitrogen （N2）* |
| Mixtures （Calibration etc） |
Otafluorocyclobutane （C4F8） |
Hydrogen Bromide （HBr） |
Carbonmonoxide （CO） |
| Carbondioxide （CO2） |
Tetrafluromethane （CF4） |
Sulfuehexafluroide （SF6） |
Boron trichloride （BCl3） |
| Carbon monoxide （CO） |
Chlorine trifluoride （ClF3） |
Halocarbon 116 （C2F6） |
Halocarbon 218 （C3F28） |
| Halocarbon 41 （CHF3） |
Hydrogen bromide （HBr） |
Hydrogen Fluoride （HF） |
Silicon tetrafluoride （SiF4） |
| Xenon difluoride （XeF2） |
Doping / Diffusion
| Argon （Ar） |
Helium （He） |
Hydrogen （H2）* |
Nitrogen （N2）* |
| Mixtures （Calibration etc） |
20% F2 / N2 mixture | Hexachlorodisilane （HCDS） |
Carbondioxide （CO2） |
| Arsine （AsH3） |
Germane （GeH4） |
Phosphine （PH3） |
Laser gas
| Helium （He） |
Hydrogen （H2）* |
Nitrogen （N2）* |
Mixtures （Calibration etc） |
| Carbondioxide （CO2） |
Ar / F2 / Ne （Argon / Fluorine / Neon - ArF laser） |
Kr / F2 / Ne （Krypton / Fluorine / Neon – KrF laser） |
Ar / Xe / Ne （Argon / Xenon / Neon Mixture） |
| Kr / Ne （Krypton / Neon Mixture） |
Ne （Neon） |
Xe （Xenon） |